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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710662161.0在审
发明人：矶贝达典;野口将希 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够使针对成膜时可能产生的缺陷的对策得以优化的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置具备：积层体，由绝缘层与导电层交替地积层而成；阻挡绝缘膜，设置在绝缘层表面及导电层表面；电荷蓄积膜，设置在阻挡绝缘膜表面；隧道绝缘膜，具有设置在电荷蓄积膜表面的第1绝缘膜、设置在第1绝缘膜表面的第2绝缘膜、及设置在第2绝缘膜表面的第3绝缘膜；以及通道膜，设置在第3绝缘膜表面。至少在第1绝缘膜或第3绝缘膜中包含缺陷终止元素，且第1绝缘膜、第2绝缘膜及第3绝缘膜的缺陷终止元素含有浓度各不相同。
绝缘膜半导体装置绝缘膜表面阻挡绝缘膜电荷蓄积缺陷终止绝缘层导电层表面绝缘层表面隧道绝缘膜导电层积层体膜表面通道膜成膜制造优化

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN202010099230.3在审
发明人：曾铃君;李书铭;欧阳自明 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含基底、位线、第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜和接触件。位线设置于基底上方。第一绝缘膜设置于位线的侧壁上。第二绝缘膜设置于第一绝缘膜上，其中第二绝缘膜的材料与第一绝缘膜的材料不同，且第二绝缘膜的顶表面低于第一绝缘膜的顶表面。第三绝缘膜设置于第二绝缘膜上，其中第三绝缘膜的材料与第二绝缘膜的材料不同，且第三绝缘膜的顶表面低于第一绝缘膜的顶表面。接触件设置于基底上方且邻近位线，其中接触件具有下部低于第三绝缘膜的顶表面和上部高于第三绝缘膜的顶表面，且接触件的下部的宽度小于接触件的上部的宽度。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201080029882.4有效
发明人：多田宪史 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在第1绝缘膜的表面形成多个遮光膜等。之后，在相邻的遮光膜等彼此之间的第2绝缘膜的表面形成离第1绝缘膜的表面的高度与遮光膜等上的第2绝缘膜的表面高度相同的伪图案。接着，在第2绝缘膜的表面形成覆盖伪图案并且具有平坦表面的第3绝缘膜。之后，将基体层以第3绝缘膜的平坦表面贴附在支撑基板上。这样制造半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]电池-CN202320182448.4有效
发明人：周勇;赵幸一 -专利权人：中创新航科技股份有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01M50/593 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池技术领域，提出了一种电池，包括：电芯，电芯包括电芯主体和极耳，极耳由电芯主体延伸而出，极耳包括相对的第一表面和第二表面；极柱，极柱与第二表面直接相连接；第一绝缘膜，第一绝缘膜设置于第一表面上；第二绝缘膜，第二绝缘膜设置于第二表面上；其中，第一绝缘膜的面积大于第二绝缘膜的面积。第一绝缘膜设置于极耳的第一表面上，第二绝缘膜设置于第二表面上，从而可以使得第一绝缘膜和第二绝缘膜实现对极耳的绝缘保护，且第一绝缘膜的面积大于第二绝缘膜的面积，由此可以使得第一绝缘膜有效覆盖第一表面，而第二表面可以通过极柱和第二绝缘膜形成防护
电池

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200310123140.X无效
发明人：宫河义弘 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：通过使在栅极电极彼此间形成的绝缘膜的状态处于良好，来得到可靠性高的半导体装置。首先，分别沿着多个栅极电极(30)和栅极绝缘膜(20)以及半导体基板(10)的表面形成绝缘膜(1)。接着，在绝缘膜(1)上形成与绝缘膜(1)不同的绝缘膜(2)。反复交替地进行形成前述绝缘膜(1)的工序和形成绝缘膜(2)的工序，直到由在绝缘膜(1)和绝缘膜(2)中最后形成的绝缘膜(N)的表面构成的凹部位于栅极电极(30)的上表面位置的上侧为止。最后，在绝缘膜(N)上形成绝缘膜(N+1)。
半导体装置制造方法

[发明专利]有源矩阵基板、显示装置以及制造方法-CN201680037763.0在审
发明人：小坂知裕;原猛;冈部达;石田和泉;村重正悟;纪藤贤一;锦博彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：抑制在设置于基板与TFT之间的绝缘膜或者基板的表面生成突起物。有源矩阵基板具备：绝缘基板(100)；表面覆盖膜(110)，其覆盖绝缘基板的表面的至少一部分；绝缘性透光膜(204)，其设置在包括表面覆盖膜的绝缘基板上；栅极线；栅极绝缘膜；薄膜晶体管；数据线；以及引出配线在绝缘基板的周缘部形成未设置有绝缘性透光膜的区域。引出配线被设为，在从与绝缘基板垂直的方向观察时，与绝缘性透光膜的外周端部交叉。表面覆盖膜也设置于未设置有绝缘性透光膜的区域中与绝缘性透光膜的外周端部接触的部分。
绝缘基板绝缘性透光膜表面覆盖膜源矩阵基板外周端部引出配线基板薄膜晶体管栅极绝缘膜方向观察显示装置垂直的绝缘膜数据线突起物栅极线周缘部覆盖制造

[发明专利]半导体器件和用于制造其的方法-CN202310148424.1在审
发明人：安商熏;吴暻锡;李承宪;林俊赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：该半导体器件可以包括其中包含多个孔隙的第一层间绝缘膜、在第一层间绝缘膜中的第一线结构、沿着第一层间绝缘膜的上表面且在第一层间绝缘膜的上表面上延伸并且与第一层间绝缘膜接触的插入绝缘膜、与插入绝缘膜接触并沿着插入绝缘膜的上表面和第一线结构的上表面延伸的阻挡绝缘膜、在阻挡绝缘膜上的第二层间绝缘膜、以及设置在第二层间绝缘膜中并连接到第一线结构的第二线结构。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]一种绝缘非晶夹膜磁环用绝缘膜-CN202211686474.7在审
发明人：钱明;钱晓伟;白波;徐家晟;徐惠丰 -专利权人：无锡希恩电气有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘非晶夹膜磁环用绝缘膜。本发明中，包括绝缘膜本体，所述绝缘膜本体的上下两侧表面活动粘接有外保护膜，所述外保护膜远离绝缘膜本体的一侧表面边缘处设置有裁剪刻度，所述绝缘膜本体包括聚酰亚胺薄膜，外保护膜可以对绝缘膜本体的表面进行保护，使得绝缘膜本体在使用过程中，表面尽量不会受到外界的划伤，从而提高了绝缘膜本体在使用时的表面完整性，同时绝缘膜本体的内部选用聚酰亚胺薄膜、电容器纸和聚脂薄膜制成，使得该复合带带材具有很好的耐高温能力，从而使得制得的非晶带材具有更长的使用寿命，同时也提高了绝缘膜本体的抗电强度，增强了使用绝缘膜本体制得的非晶磁环性能。
一种绝缘非晶夹膜磁环用

[发明专利]固态图像传感器和成像系统-CN201110079810.7有效
发明人：泽山忠志 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了固态图像传感器和成像系统，包括光电转换元件的固态图像传感器包括：第一绝缘膜，第一绝缘膜布置在半导体基板上并且具有布置在相应元件上的开口；绝缘体部分，所述绝缘体部分具有高于第一绝缘膜的折射率的折射率并且布置在相应开口内；第二绝缘膜，第二绝缘膜布置在所述绝缘体部分的上表面和第一绝缘膜的上表面上；和第三绝缘膜，第三绝缘膜具有低于第二绝缘膜的折射率的折射率，并且被与第二绝缘膜的上表面接触地布置，其中令λ是入射光的波长，n是第二绝缘膜的折射率，并且t是第二绝缘膜在第一绝缘膜的上表面上的区域的至少一部分中的厚度，满足关系t＜λ/n。
固态图像传感器成像系统

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111203067.1在审
发明人：满生彰 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：在半导体衬底SUB上形成层间绝缘膜和通过层间绝缘膜彼此分离的导电层对。在这种情况下，该导电层对的每个上表面的位置与层间绝缘膜的上表面的位置不同，并且在该导电层对的每个上表面与层间绝缘膜的上表面之间形成有绝缘膜。绝缘膜具有相对于该导电层对和层间绝缘膜的每个上表面倾斜的倾斜表面。电阻元件连接到该导电层对中的每个导电层，并且沿着倾斜表面形成以便覆盖绝缘膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201410015627.4在审
发明人：徳田悟 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在第一凹部（栅极沟槽）的底表面以及侧表面的下部形成第一下部绝缘膜，并且其比栅极绝缘膜厚。第一下部绝缘膜的上端连接到栅极绝缘膜的下端。在第二凹部（终止沟槽）的底表面以及侧表面的下部上形成第二下部绝缘膜。在第二凹部的侧表面的上部处形成上部绝缘膜，并且下端连接到第二下部绝缘膜的上端。第二凹部的深度大于或等于第一凹部深度的90%并且小于或等于其110%。第二下部绝缘膜的厚度大于或等于第一下部绝缘膜厚度的95%并且小于或等于其105%。上部绝缘膜比栅极绝缘膜厚。
半导体装置制造方法

[发明专利]片状探针及其制造方法和应用-CN200580015971.2有效
发明人：佐藤克己;井上和夫;望月勇;平泽宏幸 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2005-05-18 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种片状探针及其制造方法和应用，其允许形成小直径的前表面电极部分，并可靠地实现稳定的电连接状态，即使对于其上以小间距形成有电极的电路装置，并且其防止电极结构从绝缘膜脱落，以实现高耐用性。本发明的片状探针具有接触膜，其通过在挠性绝缘膜中设置多个电极结构而获得，这些电极结构在绝缘膜的厚度方向上以彼此在绝缘膜的平面方向上分开的状态延伸贯穿，其中每个电极结构对绝缘膜的表面暴露，并由从绝缘膜的前表面上凸出的前表面电极部分、对绝缘膜的后表面暴露的后表面电极部分、直接结合到前表面电极部分和后表面电极部分用于将它们电连接并在绝缘膜厚度方向延伸的短路部分、和在前表面电极部分的近端部分形成并在绝缘膜的平面方向上延伸的支撑部分，其中支撑部分的至少一部分被嵌埋在绝缘膜中
片状探针及其制造方法应用

[实用新型]电池及电池装置-CN202320174858.4有效
发明人：李凝;颜廷露;张士荟 -专利权人：中创新航科技股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01M50/103 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池技术领域，尤其涉及一种电池及电池装置，电池包括壳体以及绝缘膜结构，绝缘膜结构包括第一绝缘膜以及第二绝缘膜，第一绝缘膜包覆于壳体并具有开口，第二绝缘膜至少部分设置于开口中并覆盖壳体暴露于开口的部分，第二绝缘膜的外周均由第一绝缘膜包围；其中，第一绝缘膜和第二绝缘膜分别具有背向壳体的外表面，第一绝缘膜的外表面与第二绝缘膜的外表面具有高度差，高度差为10μm～300μm。通过上述结构设计，本实用新型能够利用第一绝缘膜与第二绝缘膜的高度差实现电池表面的凹凸不平的结构设计，同时减少甚至消除因设置开口而对电池壳体的绝缘性能造成的影响。
电池装置

[实用新型]一种机电绝缘用的保护膜-CN202021072386.4有效
发明人：沈韶良 -专利权人：绍兴宏成新材料有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种机电绝缘用的保护膜。本实用新型中，包括绝缘膜本体，所述绝缘膜本体的底部表面一侧设置有保护底层，所述保护底层的上表面设置有保护膜基层，所述保护膜基层的远离所述保护底层的一侧面设置有绝缘层，所述绝缘层远离所述保护膜基层的一侧面设置有防火外表层，所述防火外表层的表面通过易撕粘接胶粘接有防摩擦保护膜；防摩擦保护膜可以在运输过程中，对绝缘膜本体的上表面进行保护，防止绝缘膜本体的上表面受到摩擦，发生破裂，影响绝缘膜本体内部的绝缘性能防火外表层可以防止绝缘膜本体在高温环境下发生燃烧，造成安全事故，从而增加了绝缘膜本体在使用过程中的安全性。
一种机电绝缘保护膜

[发明专利]制造具有多层互连的半导体器件的方法-CN95115252.1无效
发明人：落合昭彦 -专利权人：索尼公司
申请日： 1995-07-26 - 公布日： 2001-03-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造具有多层互连的半导体器件的方法，包括在第一衬底的表面上形成沟槽；在沟槽和第一衬底的表面上形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜的表面上形成第一互连层；在第一衬底的表面上形成第二绝缘膜；在第二绝缘膜上形成第二互连层；在所述第二绝缘膜的表面上依次形成第三绝缘膜和粘连层；在粘结层的表面上粘连第二衬底；通过从背面和沟槽底部去除第一衬底；和在第一衬底背面形成第四绝缘膜，并在第四绝缘膜上形成第三互连层。
制造具有多层互连半导体器件方法

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